Bipolaire Transistoren Experiment
- Model: 3B8000673/674
- Beschikbaarheid: Op voorraad
- € 1.582,68
- Excl. BTW: € 1.308,00
Beschikbare opties:
Productomschrijving
Doel van het experiment: Meting van de relevante kenmerken van een npn-transistor
Een bipolaire transistor is een elektronische component die is samengesteld uit drie afwisselende p-gedoteerde en n-gedoteerde halfgeleiderlagen, de basis, de collector en de emitter. Afhankelijk van de volgorde van de lagen, kan de transistor npn of pnp worden genoemd. De responsie van een bipolaire transistor kan onderscheidend worden beschreven door bijvoorbeeld een ingangskarakteristiek, een stuurkarakteristiek en een uitgangskarakteristiek. In dit natuurkunde experiment moeten voorbeelden hiervan worden gemeten voor een npn-transistor, weergegeven in een grafiek en geëvalueerd.
Beschikbaar voor een netspanning van 115 Volt of 230 Volt.
Veldeffecttransistoren Experiment
Doelstelling: Meet de karakteristieken van een veldeffecttransistorEen veldeffecttransistor (FET) is..