Veldeffecttransistoren Experiment
- Model: 3B8000675/676
- Beschikbaarheid: Op voorraad
- € 1.139,09
- Excl. BTW: € 941,40
Beschikbare opties:
Productomschrijving
Doelstelling: Meet de karakteristieken van een veldeffecttransistor
Een veldeffecttransistor (FET) is een halfgeleidercomponent waarin elektrische stroom door een kanaal gaat en wordt bestuurd door een elektrisch veld dat loodrecht op het kanaal werkt. FET's hebben drie contacten, source, drain en gate genoemd vanwege hun respectieve functies. Als er een spanning wordt aangelegd tussen de source en de drain, vloeit er een drainstroom tussen de twee. Voor kleine spanningen tussen de drain en source werkt een FET als een eenvoudige ohmse weerstand met een overeenkomstige lineaire karakteristiek. Naarmate de source-drain-spanning toeneemt, wordt het kanaal beperkt en wordt het uiteindelijk volledig afgesneden. Het kenmerk komt dan in een gebied van verzadiging. Wanneer de poortspanning niet nul is, neemt de verzadigingswaarde van de afvoerstroom af.
Dit natuurkunde experiment is te verkrijgen voor een netspanning van 115 of 230 Volt.
Bipolaire Transistoren Experiment
Doel van het experiment: Meting van de relevante kenmerken van een npn-transistorEen bipolaire trans..